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我是高中生,老师讲化学竞赛时,好像是说溶解性Agf>agcl>agbr>agi,好像讲了离子极化作
先贴张图
这张图中有三个过程。其中,过程1表示的是卤化银溶解的过程,因为这个过程的初末态确定了所以有确定的吉布斯自由能变(记做deltaG(1))。因为过程1只涉及固液两态,所以忽略熵变的影响,认为过程1的自由能变=焓变,因此我们只需研究ta的焓变(溶解焓),将过程1的焓变记为deltaH(1)。
要知道过程1进行的程度,我们只需比较ta的焓变deltaH(1)的大小即可。但我们要用结构解释,所以不能直接去查表,因此我们要引入其ta两个过程2和3。
过程2:由固态的卤化银变成气态的银离子和卤素离子(值得一提的是,该过程的逆过程的焓变即卤化银的晶格能)。引入该过程,是因为过程2的末态是离子气体,我们可以近似认为银离子与卤素离子间没有相互作用(类似理想气体),所以这个状态对于任意卤素来说都处在近似相等的能量上(为我们的比较提供了一个基准)。记过程2的焓变为deltaH(2)。
过程3:这是银离子和卤素离子水合的过程,最终形成水合离子。记过程3的焓变为deltaH(3)。
根据Hess定律,deltaH(1)=deltaH(2)+deltaH(3)。因此,知道了deltaH(2)和deltaH(3)的大小,就能知道deltaH(1)的大小了。
接下来先研究过程2:
过程2要用到的便是离子极化的知识。首先说明什么是离子极化,事先说明正离子在绝大多数情况下我们都认为不会产生极化,因此我们取阴离子来做离子。首先,我们假想这样一个阴离子:这个阴离子的周围没有电场存在,或者ta的周围存在一个均匀的电场,并且这个阴离子自身达到2e-或8e-或18e-等球形对称的电子构型。此时我们可以将这个阴离子视为一个理想的球形,如果在一个离子晶体中,符合以上所有条件(因为已经假设阳离子不发生极化),那么我们称这个离子晶体的离子百分数为100%。
但是,实际情况往往不为人所愿。我们为了模拟实际情况,在这个阴离子周围某处摆上一个正电荷。很显然,电子在阴离子和正电荷之间出现的概率将增大,在原理正电荷方向上出现的概率将减小。这时,我们说阴离子被极化了,极化的程度将随着正电荷产生的电场的强度增加而增加。之前说过,阳离子基本不考虑极化,但阳离子存在对阴离子的极化作用,阳离子的电荷数越大,正电荷越集中(也就是有效正电荷数越大)对阴离子的极化能力越强。
好了,知道了极化作用,就可以对实例进行分析了。首先阳离子都是银离子,所以对卤素产生的极化作用相同。因此,能产生差别的只有卤素离子。从F-到I-,阴离子的半径增大,最外层电子离核距离增大,受到原子核的吸引力越弱,因此,越容易被极化。所以AgF,AgCl,AgBr,AgI的离子性质依次降低,共价性质依次增大,因此要完成过程2需要额外克服更多的共价作用,因此deltaH(2,AgF)deltaH(2,AgCl)deltaH(2,AgBr)deltaH(2,AgI)。(这里的焓变是正值)
比较完过程2,就是过程3了:
过程3相对简单,但容易被忽略。从Cl-到I-(注意没有提到F-),水合焓变化不大,其绝对值依次略有所降低(离子的水合焓是负值,所以deltaH(3,Cl-)deltaH(3,Br-)deltaH(3,I-))
但是F-就不同了,ta能和水形成氢键,使得F-离子相比与其ta元素获得了更大的水合焓(绝对值),因此deltaH(3,F-)deltaH(3,X-)(X=Cl-,Br-,I)。
综上所述,deltaH(1,AgF)deltaH(1,AgCl)deltaH(1,AgBr)deltaH(1,AgI)。也正如事实所验证的那样,室温下AgF在每100mL水中约能溶解179g,而其ta卤化银则都是难溶的。
Ag+HI反应的平衡常数,能否完全反应?
在标态下
2Ag+2HI--2AgI+H2
由数据得
delta G=-135.8kJ/mol
ΔG = -RT ln K
k=3.3*10^25 1
能完全反应
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